ชื่องานวิจัย ( Article Name)
7
Investigation the use of rotating linearly polarized light for characterizing SiO2 thin-film on Si substrate
บทคัดย่อ ( Abstract )
This research is based on the Fresnel’s equations and the ellipsometric technique that investigate the sample of SiO2 thinfilm on Si substrate. The investigation is made by a probing beam which is in the form of a rotating linearly polarized light generated by the polarizing Mach-Zehnder interferometer (pMZi). The detection of the changed polarization states of the incident light due to reflection on the sample surfaces led to a set of unique characteristics describing a thin-film substrate system in terms of ellipsometric parameters ψ and Δ. SiO2 thin-films were chosen to study because of their well known characteristics. The accuracy of measurements was confirmed by comparisons to calculated values derived from Fresnel’s equations and a standard instrument. The results clearly reveal a feasibility of using the rotating linearly polarized light produced by pMZi for a non-destructive characterization of the thin-film system.
เอกสารวิจัย ( Paper )
ผู้เขียน ( Authors )
- ฉัตรชัย พะวงษ์
ข้อมูลการเผยแพร่ ( Journal Infomation )
ชื่อวารสารที่ตีพิมพ์
Optoelectronic Materials and Devices VI
หน่วยงานเจ้าของวารสาร
Guang-Hua Duan
ลิงค์ฐานข้อมูลวารสารที่เผยแพร่
www.spiedigitallibrary.org
ประเภทฐานข้อมูล
-
ประเมินบทความโดย
spiedigitallibrary
วันที่ได้รับการอนุมัติ
May 6, 2553
วันที่เผยแพร่
May 24, 2554
เผยแพร่ระดับ
ระดับนานาชาติ
เลขที่ ISBN / ISSN / DOI
83081I-7
ปีที่ - ฉบับที่ - หน้าที่
ปี 2011 ฉบับที่ 8308 หน้าที่ 83081I-7
แหล่งทุนงานวิจัย
เงินจากแหล่งทุนอื่น ๆ
วันที่อัพเดตข้อมูลล่าสุด
2023-05-24 04:05:19